Модуль оперативной памяти Kingston DDR3 (KVR16N11)

Код товара: 002157
Модуль оперативной памяти Kingston DDR3 (KVR16N11)

Краткое описание


Модуль оперативной памяти Kingston типа DDR3 обеспечивает увеличенную рабочую частоту (по сравнению с DDR2) при сниженном тепловыделении и экономном энергопотреблении. Напряжение питания при работе составляет 1,5 В. В мо... Читать далее...

Краткие атрибуты


tCL (задержка сигнала CAS) - 11 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS) - 11 тактов
tRP (время подзарядки строки) - 11 тактов
Бренд - Kingston
Масса нетто - 18 грамм
Смотреть все атрибуты


1 434 руб.

  • Доступность: В наличии
  • Доставка: Бесплатная
  • Срок доставки: 1-15 дней

  • 2 или более 1 391 руб.
  • 5 или более 1 377 руб.
  • 10 или более 1 350 руб.
  • 20 или более 1 215 руб.

Дополнительная информация
Гарантии и возврат

Гарантии и возврат

Обмен-возврат товаров в течении 30 дней

Информация о доставке

Информация о доставке

Доставка по всей России и cтранам СНГ (3-20 дней)

Способы оплаты

Способы оплаты

Visa/MasterCard, Яндекс Деньги, Сбербанк Онлайн и др.

Модуль оперативной памяти Kingston типа DDR3 обеспечивает увеличенную рабочую частоту (по сравнению с DDR2) при сниженном тепловыделении и экономном энергопотреблении. Напряжение питания при работе составляет 1,5 В. В модуле также имеется 8 чипов с односторонним расположением.

Объем памяти позволит свободно работать со стандартными, офисными и ресурсоемкими программами, а также современными нетребовательными играми. Работа осуществляется при тактовой частоте 1600 МГц и пропускной способности, достигающей до 12800 Мб/с, что гарантирует качественную синхронизацию и быструю передачу данных, а также возможность выполнения множества действий в единицу времени. Параметры тайминга 11-11-11 не принижают скорости работы системы.

ValueRAM Kingston - это модули памяти, изготовленные в соответствии с отраслевыми стандартами, обеспечивающие непревзойденную производительность и отличающиеся легендарной надежностью Kingston.

Основные характеристики
tCL (задержка сигнала CAS)11 тактов
tRCD (задержка между RAS и CAS)11 тактов
tRP (время подзарядки строки)11 тактов
БрендKingston
Масса нетто18 грамм
Объем памяти4 ГБ / 8 Гб (На выбор)
ОсобенностиПозолоченные контакты
Поддерживаемая буферизация памятиUnbuffered
Поддерживаемый метод контроля ошибокnon-ECC
ТипDDR3
Форм-факторDIMM 240-pin
Частота1600 МГц
Напряжение питания:1.5 В

Написать отзыв

Внимание: HTML не переведен!
    Плохо           Хорошо

Теги: Модуль оперативной памяти, Kingston, DDR3, KVR16N11, 4 гб, 8 гб